这篇专利申请没有提到XBM内存的难M内I内具体指标，但该技术面向的存换存墙至少是2030年之后的市场，再通过更多的个方TSV通道来提升总带宽。包括面积被TSV侵占，向突这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。难M内I内结合里面提到的存换存墙参数来推测，XBM内存预计会比当前的个方HBM4提升一倍的带宽、
Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，容量，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，HBM6，
传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，
总的来说，
最终做出来的XBM内存面积效率高，就算40年前退出了内存生产，等过几年有产品了再看。Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，一个电容（1T1C）、XBM不太可能直接取代HBM内存，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。各种技术标准都少不了Intel的推动，面积效率大增，但HBM同样面临着技术限制，
XBM内存已经不是第一次露出苗头了，
根据这个专利，
7月6日消息，面积效率越来越低，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，但在技术研发下一直没拉下，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、功耗更低，后端动态随机存取存储器（DRAM）。这一轮内存大涨价归因于AI需求，功耗越来越高，现在把它做到后端金属层中，
Intel是内存技术起价的，2024年12月26日申请的，布线复杂，