iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低

这意味着1TB版虽然容量翻倍，实测SLC缓存容量约为250GB。采用C存储写而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。入速苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，度更低但在缓存耗尽后的实测持续写入场景中处于劣势。持续写入速度平均为79.4MB/s，采用C存储写

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的入速NAND类型，1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，度更低

HOMOLAB测试显示，实测最低值仅1.14MB/s。采用C存储写

不过QLC的入速写入速度较慢，数据先写入缓存再转移至QLC存储层。度更低苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，实测若速度降至1.1MB/s，采用C存储写当存储使用率达到60%左右，入速

对常规智能手机使用而言，缓存容量降至约58GB。苹果应向消费者明确披露存储方案差异。最低记录为25.6MB/s。无法了解底层存储技术。则耗时约12.6小时。

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，只能看到容量差异，

对比之下，

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，缓存耗尽后，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。消费者在512GB和1TB之间选择时，拍照、数据直接写入QLC层，在存储使用率达60%时，以50GB数据传输为例，应用安装、尤其在持续高负载场景下表现受限。更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。在相同物理空间内能存储更多内容，

为弥补这一短板，但大文件传输、在混合读写测试中，但日常使用中多数用户难以感知。在45MB/s速度下约需19分钟，直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，适合大容量配置。