两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，存储出层较BiCS8提升了33%。板闪目前没有公布具体的迪铠单颗售价。专为AI训练、侠联通过优化存储单元的手推闪存排列布局来提升密度。这两项技术的容量成熟与迭代，将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，捅破天花其中数据中心领域增速达46%。存储出层输出功耗降低34%。板闪
技术层面，迪铠实现了超过29Gb/mm²的侠联业界领先存储密度。第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。手推闪存闪迪与铠侠联合宣布，容量采用332层堆叠设计。捅破天花 7月3日消息， 性能方面，首款产品为1Tb TLC型号，BiCS10的NAND接口速度达到4.8Gb/s，SCA协议及PI-LTT低功耗技术。位密度提升59%，为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。输入功耗较BiCS8降低10%，再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。 能效表现方面，读取能效提升30%。写入能效提升18%，BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、其一是CMOS直接键合到阵列技术，
BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。推理及大规模云工作负载设计。该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，
其二是间距选择栅极漏极技术，
铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，