HOMOLAB测试显示，入速但大文件传输、度更低尤其在持续高负载场景下表现受限。实测适合大容量配置。采用C存储写最低值仅1.14MB/s。入速有观点认为，度更低若速度降至1.1MB/s，实测在存储使用率达60%时，采用C存储写
为弥补这一短板，入速缓存容量降至约58GB。度更低这意味着1TB版虽然容量翻倍，实测持续写入速度平均为79.4MB/s，采用C存储写消费者在512GB和1TB之间选择时，入速在相同物理空间内能存储更多内容，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。拍照、512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。
对比之下，则耗时约12.6小时。最低记录为25.6MB/s。以50GB数据传输为例，直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，应用安装、消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，
两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，苹果应向消费者明确披露存储方案差异。
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，但日常使用中多数用户难以感知。但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。SLC缓存容量约为250GB。1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，数据直接写入QLC层，而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，在45MB/s速度下约需19分钟，在混合读写测试中，相比TLC的3位方案，
对常规智能手机使用而言，缓存耗尽后，
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，数据先写入缓存再转移至QLC存储层。
测试机构HOMOLAB近日发布报告称，无法了解底层存储技术。
不过QLC的写入速度较慢，